5纳米芯片和7纳米芯片的区别在于，当插入相同数量的晶体管时，5纳米芯片的体积将小于7纳米芯片的体积。由于工艺问题，与5纳米芯片相比，大型7纳米芯片将具有更大的电容和更高的电压，这将导致更高的整体功耗。
2019年推出全球首款5G SoC芯片海思麒麟990，采用全球先进的7 nm工艺制程；64层3D NAND闪存芯片实现量产；14纳米工艺量产。
在2020年的时间框架内，科技公司首次提出了5纳米芯片的制造。5 nm芯片操作工程的特点是它使用间距为20 nm的FinFET晶体管，而最密集的金属间距为30 nm。
制造芯片时，纳米制造操作越小，重要组件（晶体管）的尺寸就越小，这样芯片就可以在更小的封装中装入更多组件。
